美国ITC57300 SIC器件动态参数测试仪-华科智源全国总代理
| 价格 | ￥233.00/台 | |
| 起订量 | ≥1 | |
| 所在地 | 广东 深圳 | 可售量 10000台 |
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深圳市华科智源科技有限公司
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公司官网： www.igbts.com.cn
所在地区：广东省 深圳市
主营产品： IGBT测试仪、IGBT动态参数测试、IGBT静态参数测试、SMT首件检测仪、SMT首件测试仪、首件检测仪、ITC57300、雪崩能量测试仪、首件测试仪、IGBT功率循环测试、IGBT测试系统
进入店铺华科智源专业研发生产半导体测试设备，提供ITC57300mos管IGBT功率器件动态参数测试仪，大功率IGBT到小功率管MOS的测试， 包括动态参数和静态参数测试，雪崩能量测试以及热阻测试， 索取相关资料和报价请联系陈先生 13008867918 华科智源 www.hustec.cn
ITC57300是美国ITC公司设计生产的高集成度功率半导体分立器件动态参数测试设备，采用测试主机 功能测试头 个性板的测试架构，可以满足N沟道、P沟道器件、双极晶体管等的各项动态参数的测试要求，且具有波形实时显示分析功能，是目前具领先水平的完备可靠的动态参数测试设备。华科智源
ITC57300动态参数测试系统主机可执行非破坏性的瞬态测量测试，包括对半导体器件绝缘栅双极晶体管（IGBT），功率MOSFET，二极管，双极型器件的测试头。主机包括所有测试设备和必要的软件分析，可执行电阻和电感的开关时间，开关损耗，栅极电荷，TRR /的Qrr和其他瞬态测试。
ITC57300能力
测试电压：1200 VDC 200（短路电流可达1000A）
定时测量：***低为1 ns
漏电流限制监视器
- MOSFET开关时间测试， Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
- MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢复时间测试，Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps
- Qrr range：1nc~100uc，Trr range：10ns~2us
- MOSFET栅电荷Qg测试，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
- IGBT感性开关时间测试，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps，Inductors range：0.1mH~159.9mH
- IGBT短路耐量测试，Max ISC=1000A
测试标准：
- MIL-STD-750 Series
ITC57300mos管IGBT功率器件动态参数测试仪选项
额外的电源供应器
额外的测试头
大包装适配器
ITC57300mos管IGBT功率器件动态参数测试仪测试头
ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET，MIL-STD-750方法3472开关时间
ITC57220 - TRR /电源，MOSFET和二极管的Qrr，MIL-STD-750方法，3473
ITC57230 - 栅极电荷功率MOSFET，MIL-STD-750方法3471
ITC57240 - 电感式开关时间为IGBT，MIL-STD 750方法3477
ITC57250 - （ISC）短路耐受时间，MIL-STD-750方法3479
ITC57300mos管IGBT功率器件动态参数测试仪系统特点
很容易改变的测试头
在不同参数的自动化测试
坚固耐用的PC兼容计算机
用户友好的菜单驱动软件
可编程测试出纸槽
电子表格兼容的测试数据
可选内部电感负载
GPIB可编程测试设备
四通道高带宽数字示波器
脉冲发生器
1200V电源
ITC57300mos管IGBT功率器件动态参数测试仪安全特性
测试头高电压互锁
接收端的高电压互锁
高速漏极供电开关
深圳市华科智源科技有限公司
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陈先生
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广东省深圳市宝安区广东 深圳 西乡流塘街道好运来大厦
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