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西安易恩电气科技有限公司
联 系 人:陈岗龙 (联系时,请说明是在全球塑胶网上看到的)
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所在地区:陕西省 西安市
主营产品: 功率器件电参数测试, 半导体老化测试设备, 功率循环测试设备, 浪涌电流测试设备, 雪崩耐量测试设备,
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基本参数
品牌 | 易恩电气 | 型号 | EN2005-C |
测量范围 | 18类电子元器件 | 加工定制 | 是 |
类型 | 多参数测试仪 | 重量 | 25kg |
额定功率 | 10000w | 电源电压 | 220V |
基本电流 | 5A | 频率 | 50Hz |
最大电流 | 100A | 参比电压 | 220V |
测量电流类型 | 交直流两用 | 外形尺寸 | 72*72mm |
显示方式 | 液晶 | 装箱数 | 10 |
准确度 | 0.5 | 售后服务 | 上门服务 |
质量认证 | ios9000 | 准确度等级 | 0.5 |
电压档 | 110V | 外壳材质 | HTN |
产地 | 陕西西安 |
ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统,系统IV曲线自动生成,也可根据实际需求设置功能测试,直接读取数显结果。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立,保证了数据的准确可靠。提供在线故障判断,遇到器件接触不良时系统自动停止测试。通过USB或者RS232与电脑连接,以及人机界面操作,即可完成测试,并实现结果以Excel和Date的格式保存。
系统支持 Si 器件和 SiC 器件的静态参数测试。
ENJ2005-C 功率器件图示系统
测试参数:
漏电参数:IR、 ICBO、 LCEO/S/X、IDSS/X、 IDOFF、 IDRM、 IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、 IR(OPTO)
击穿参数:BVCEO、BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、VD 、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、 BVGKO
增益参数:hFE、CTR、gFS
导通参数:VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT 、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)、Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)
关断参数:VGSOFF
触发参数:IGT、VGT
保持参数:IH、IH 、IH-
锁定参数:IL、IL 、IL-
混合参数:rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
间接参数:IL
配置规格:
配置 |
规格/环境 | ||
主极电压 |
1mV-2000V | 尺 寸 | 450×570×280(mm) |
电压分辨率 |
1mV | 质 量 | 35kg |
主极电流 |
0.1nA-100A | 工作电压 | 200V-240V |
扩展电流 |
/ | 电源频率 | 47Hz-63Hz |
电流分辨率 |
0.1nA | 工作温度 | 25℃-40℃ |
测试精度 |
0.2% 2LSB | 通信接口 | RS232 USB |
测试速度 |
0.5mS/参数 | 系统功耗 | <150w |
测试范围:
01 |
二极管 / DIODE |
02 |
晶体管 / NPN型/PNP型 |
03 |
J型场效应管 / J-FET |
04 |
MOS场效应管 / MOS-FET |
05 |
双向可控硅 / TRIAC |
06 |
可控硅 / SCR |
07 |
绝缘栅双极大功率晶体管 / IGBT |
08 |
硅触发可控硅 / STS |
09 |
达林顿阵列 / DARLINTON |
10 |
光电耦合 / OPTO-COUPLER |
11 |
继电器 / RELAY |
12 |
稳压、齐纳二极管 / ZENER |
13 |
三端稳压器 / REGULATOR |
14 |
光电开关 / OPTO-SWITCH |
......其它器件共19大类27分类 |
西安易恩电气科技有限公司
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