氧化镁(MgO)单晶基片可定制

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基本参数

简述：氧化镁（MgO）单晶基片应用在多个薄膜领域中。如用于制作磁学薄膜、半导体薄膜、光学薄膜和高温超导薄膜等。由于MgO单晶在微波波段的介电常数和损耗都很小，且能得到大面积的基片（直径2"及更大），所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一。

生长方法	弧熔法
晶体结构	立方
晶格常数	a=4.130 ?
熔点（℃）	2800
纯度	99.95%
密度（g/cm3）	3.58
硬度	5.5（mohs）
热膨胀系数（/℃）	11.2x10-6
晶体解理面
光学透过	90%（200~400nm），98%（500~1000nm）
介电常数	ε= 9.65
热导率（卡／度厘米秒）	0.14 300°K
尺寸	10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20， dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm
厚度	0.5mm，1.0mm
抛光	单面或双面
晶向
晶面定向精度:	±0.5°
边缘定向精度:	2°（要求可达1°以内）
斜切晶片	可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片
Ra:	≤5?（5μm×5μm）
主要特点	由于MgO单晶在微波波段的介电常数和损耗都很小，且能得到大面积的基片（直径2英吋及更大），所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一。
主要用途	用于制作磁学薄膜、半导体薄膜、光学薄膜和高温超导薄膜等,也可用于制作移动通讯设备所需的高温超导微波滤波器等器件。

GeS 硫化锗晶体	(Germanium Sulphide)
p-type WS2 crystals P型二硫化钨晶体	p-type WS2 crystals
GaS 硫化镓晶体	(Gallium Sulfide)
HfS2 二硫化铪晶体	(Hafnium Disulfide)
WS2 二硫化钨晶体	(Tungsten Disulfide)
ReS2 二硫化铼晶体	(Rhenium Disulfide)
TiS2 二硫化钛晶体	(Titanium Disulfide)
Molybdenum Disulfide (MoS2) 小尺寸二硫化钼晶体 10x10mm	Molybdenum Disulfide (MoS2)
n-type WS2 crystals N型二硫化钨晶体	n-type WS2 crystals
NiPS3 crystals 三硫化磷镍晶体	NiPS3 crystals
In2S3 crystals 三硫化二铟晶体	In2S3 crystals
ZrSiS crystals 硫化硅锆晶体	ZrSiS crystals
TiS3 三硫化钛晶体	TiS3 crystals
NbS2 二硫化铌晶体 (Niobium Disulfide)	(Niobium Disulfide)