东莞市天之鸿塑化有限公司
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PEEK 英国威格斯 APTIV® 2000

价格 680/KG
起订量 ≥25
所在地 广东 东莞 可售量 10000KG

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基本参数

厂商 威格斯 牌号 APTIV? 2000
特性级别 电绝缘性 用途级别 薄膜 伸缩板 电气元件 阳离子 航空航天应用 混料 绝缘材料 印刷电路板
类型 标准料 品牌 威格斯
产地 英国 厂家 威格斯
材质 PEEK

image.png

APTIV?2000

PEEK膜
产品说明:
APTIV?2000系列薄膜是由VICTREX?PEEK?聚合物制成的未填充无定形薄膜。该膜为超高性能应用的工程师提供了材料解决方案。

APTIV薄膜是一整套用途广泛的高性能薄膜,其使用可以促进降低系统成本,提高性能并增强设计自由度。

APTIV 2000具有独特的性能组合,可提供高温性能,重量轻,机械强度,耐用性,优异的抗辐射,水解和耐化学性,电绝缘性,耐磨性和耐磨性,优异的阻隔性能,高纯度,良好的可燃性,而无需使用阻燃剂,燃烧产物的低毒性和薄膜形式的低吸湿性。固有的无卤素和易加工性使APTIV薄膜成为我们的客户和最终用户的技术推动者。

请注意-如果APTIV 2000在二次加工或最终用途应用中的温度高于Tg(143°C,289°F),则将结晶。在不重新熔化材料的情况下,结晶不可逆转回到非晶相。如果选择APTIV 2000,则需要考虑处理和最终用途应用中的温度范围。



特性
纯净/高纯度低吸湿性低烟度电镀毒性低高强度极佳的可印刷性绝缘抗伽马辐射可焊接可回收材料可热封良好的加工性能耐化学品性能,良好耐磨损性,良好耐磨损性,良好耐热性,高耐水解性耐用性韧性良好无定形的无卤阻隔树脂阻燃性
用途
薄膜层压板电气元件隔膜航空航天应用混料绝缘材料印刷电路板
机构评级
EU 2004/19/ECFDA 21 CFR 177.2415欧洲 2002/72/EC
RoHS 合规性
  • RoHS 合规
形式
  • 薄膜
加工方法
层压法热成型涂层

物理性能
额定值
单位制
测试方法
密度(23°C)
1.26
g/cm3
ISO 1183
吸水率3(平衡, 23°C, 0.0500 mm, 50% RH)
0.21
%
ISO 62
收缩性4
MD : 200°C, 50.0 μm
10
%
TD : 200°C, 50.0 μm
5.0
%
薄膜
额定值
单位制
测试方法
可供应的薄膜厚度
6 to 300 μm
拉伸模量
ISO 527-3
MD : 23°C, 25 μm
1800
MPa
TD : 23°C, 25 μm
1800
MPa
MD : 23°C, 50 μm
1800
MPa
TD : 23°C, 50 μm
1800
MPa
MD : 23°C, 100 μm
1600
MPa
TD : 23°C, 100 μm
1600
MPa
拉伸应力
ISO 527-3
MD : 断裂, 23°C, 25 μm
130
MPa
TD : 断裂, 23°C, 25 μm
130
MPa
MD : 断裂, 23°C, 50 μm
120
MPa
TD : 断裂, 23°C, 50 μm
120
MPa
MD : 断裂, 23°C, 100 μm
120
MPa
TD : 断裂, 23°C, 100 μm
120
MPa
伸长率
ISO 527-3
MD : 断裂, 23°C, 25 μm
200
%
TD : 断裂, 23°C, 25 μm
200
%
MD : 断裂, 23°C, 50 μm
200
%
TD : 断裂, 23°C, 50 μm
200
%
MD : 断裂, 23°C, 100 μm
200
%
TD : 断裂, 23°C, 100 μm
200
%
裤型撕裂耐性5
ISO 6383-1
MD : 50 μm
6.00
N/mm
TD : 50 μm
6.00
N/mm
热性能
额定值
单位制
测试方法
结晶峰温 (DSC)
143
°C
线形热膨胀系数 - 流动6(0.0500 mm)
6.0E-5
cm/cm/°C
ASTM D696
电气性能
额定值
单位制
测试方法
体积电阻率7(23°C, 0.0500 mm)
2.0E 16
ohms·cm
ASTM D257
介电强度
ASTM D149
23°C, 0.0250 mm
270
kV/mm
23°C, 0.0500 mm8
190
kV/mm
23°C, 0.100 mm
120
kV/mm
介电常数(23°C, 0.0500 mm, 10 MHz)
3.30
ASTM D150
耗散因数(23°C, 0.0500 mm, 10 MHz)
3.0E-3
ASTM D150
Dielectric Breakdown
ASTM D149
23°C, 25.0 μm
6750
V
23°C, 50.0 μm
9500
V
23°C, 125.0 μm
15000
V
补充信息
额定值
单位制
测试方法
Puncture Resistance(23°C, 50.0 μm)
40.0
kJ/m2
内部方法
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