30V 30A N沟道MOS管 SLN30N03T

价格	￥0.20/个
起订量	≥3000
所在地	广东深圳	可售量 100000个

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主营产品：集成电路, 单片机, MOS管, 可控硅, 数据收发模块, 二极管, 三极管,

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基本参数

品牌	美浦森	型号	SLN30N03T
包装规格	盘装	材料	咨询客服
分类	绝缘栅(MOSFET)	封装	DFN3*3-8
沟道类型	N沟道	加工定制	否
类型	绝缘栅(MOSFET)	批号	2020+
是否含税	咨询客服	营销方式	咨询客服
用途	咨询客服	原产地	中国
制作工艺	咨询客服	种类	绝缘栅(MOSFET)

深圳市三佛科技有限公司供应 30V 30A N沟道MOS管 SLN30N03T，原装，库存现货热销

SLN30N03T参数： 30V 30A DFN3*3-8 N沟道MOS管
品牌：美浦森
电压：30V
电流：30A
封装：DFN3*3-8
种类：绝缘栅(MOSFET)
沟道：N沟道
SLN30N03T 原装，SLN30N03T库存现货热销

售后服务：公司免费提供样品，并提供产品运用的技术支持。
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场效应管工作原理
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。

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