10×10.5mm2氮化镓自支撑晶片（Si掺杂）
| 价格 | ￥48.00/厘米 | |
| 起订量 | ≥105 | |
| 所在地 | 江苏 苏州 | 可售量 10000厘米 |
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速购通标准会员 第3年
产品分类
| 货号 | CAS号 | 编号 | 包装 | 参数 | 库存 | 补货期 | 价格 |
| BK2020081705-01 | BK2020081705 | Ga-抛光 | 位错密度：1~3 x 106 cm-2 | 100 | 2340 | ||
| BK2020081705-02 | BK2020081705 | Ga-抛光 | 位错密度：5~9 x 105 cm-2 | 100 | 2940 | ||
| BK2020081705-03 | BK2020081705 | Ga-抛光 | 位错密度：1~5 x 105 cm-2 | 100 | 4740 | ||
| BK2020081705-04 | BK2020081705 | N-抛光 | 位错密度：1~3 x 106 cm-2 | 100 | 2340 | ||
| BK2020081705-05 | BK2020081705 | N-抛光 | 位错密度：5~9 x 105 cm-2 | 100 | 2940 | ||
| BK2020081705-06 | BK2020081705 | N-抛光 | 位错密度：1~5 x 105 cm-2 | 100 | 4740 | ||
| BK2020081705-07 | BK2020081705 | Double-抛光 | 位错密度：1~3 x 106 cm-2 | 100 | 2580 | ||
| BK2020081705-08 | BK2020081705 | Double-抛光 | 位错密度：5~9 x 105 cm-2 | 100 | 3180 | ||
| BK2020081705-09 | BK2020081705 | Double-抛光 | 位错密度：1~5 x 105 cm-2 | 100 | 4980 |
性能参数：
-
产品型号 GaN-FS-C-N-S10 尺寸 10×10.5mm2 厚度 350±25μm 晶体取向 C-plane（0001）off angle toward M-Axis 0.35°±0.15° TTV ≤10μm 弯曲度 ≤10μm 导电类型 N-type 电阻率（300 K） 0.05Ω·cm 位错密度 From 1x105to 3x106cm-2 有效面积 90% 抛光 Front Surface：Ra＜0.2 nm(polished);
or 0.3nm(polished and surface treatment for epitaxy)Back Surface：0.5~1.5μm;
option：1-3nm(Fine ground);0.2nm(polished)包装 Packaged in a class 100 clean room environment,
in single container,under a nitrogen atmosphere.
联系方式
苏州凯发新材料科技有限公司
联系人：
杨经理
服务热线：
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苏州工业园区东旺路8号8幢2楼206室
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