苏州凯发新材料科技有限公司
  • 入驻年限:3
  • 所 在 地:江苏省 苏州市
  • 主营产品: MOF 黑磷 石墨炔 纳米酶 多层风琴状
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苏州凯发新材料科技有限公司
如实描述 用心服务 品质保障
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2英寸氮化镓自支撑晶片 (Si掺杂)

价格 17400.00/微米
起订量 ≥1
所在地 江苏 苏州 可售量 10000微米

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基本参数

加工定制 产地 北京
公差 0.01 形状 圆形
表面处理 不经处理 厚度 不经处理
适用范围 不经处理 重量 不经处理


货号 CAS号 编号 包装 参数 库存 补货期 价格
BK2020081702-01 BK2020081702 Ga-抛光 等级:B 100 13200
BK2020081702-02 BK2020081702 Ga-抛光 等级:C 100 10800
BK2020081702-03 BK2020081702 Ga-抛光 等级:S-1 100 25200
BK2020081702-04 BK2020081702 Ga-抛光 等级:S-2 100 19200
BK2020081702-05 BK2020081702 Ga-抛光 等级:A-1 100 22800
BK2020081702-06 BK2020081702 Ga-抛光 等级:A-2 100 16800
BK2020081702-07 BK2020081702 N-抛光 等级:B 100 13200
BK2020081702-08 BK2020081702 N-抛光 等级:C 100 10800
BK2020081702-09 BK2020081702 N-抛光 等级:S-1 100 25200
BK2020081702-10 BK2020081702 N-抛光 等级:S-2 100 19200
BK2020081702-11 BK2020081702 N-抛光 等级:A-1 100 22800
BK2020081702-12 BK2020081702 N-抛光 等级:A-2 100 16800
BK2020081702-13 BK2020081702 Double-抛光 等级:B 100 13800
BK2020081702-14 BK2020081702 Double-抛光 等级:C 100 11400
BK2020081702-15 BK2020081702 Double-抛光 等级:S-1 100 25800
BK2020081702-16 BK2020081702 Double-抛光 等级:S-2 100 19800
BK2020081702-17 BK2020081702 Double-抛光 等级:A-1 100 23400
BK2020081702-18 BK2020081702 Double-抛光 等级:A-2 100 17400


性能参数:

2-inch Free-standing U-GaNSubstrates

Excellentlevel (S)

Production level (A)

Research level (B)

Dummy level (C)

Note:
(1)Useable area:edge and macro defects exclusion
(2) 3 points: the miscut angles of positions (2, 4, 5) are 0.35 ± 0.15°

S-1

S-2

A-1

A-2

Dimension

50.8 ± 1 mm

Thickness

350 ± 25 μm

Orientation flat

(1-100) ± 0.5°, 16 ± 1 mm

Secondary orientation flat

(11-20) ± 3°, 8 ± 1 mm

Resistivity (300K)

0.05 Ω·cm for N-type (Si-doped; GaN-FS-C-N-C50)

TTV

≤ 15 μm

BOW

≤ 20 μm

≤ 40 μm

Ga face surfaceroughness

0.2 nm (polished)
or 0.3 nm (polished and surface treatment for epitaxy)

N facesurface roughness

0.5 ~1.5 μm
option: 1~3 nm (fine ground); 0.2 nm (polished)

Package

Packaged in a cleanroom in single wafer container

Useable area

90%

80%

70%

Dislocation density

9.9x105cm-2

3x106cm-2

9.9x105cm-2

3x106cm-2

3x106cm-2

Orientation:C plane (0001) off angle toward M-axis

0.35 ± 0.15°(5 points)

0.35 ± 0.15°(5 points)

0.35 ± 0.15°(3 points)

Macro defect density(hole)

0 cm2

0.3 cm-2

1 cm-2

Max size of macro defects

700 μm

2000 μm

4000 μm

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