2英寸氮化镓自支撑晶片 （非掺杂）
| 价格 | ￥2100.00/微米 | |
| 起订量 | ≥1 | |
| 所在地 | 江苏 苏州 | 可售量 10000微米 |
产品推荐
| 货号 | CAS号 | 编号 | 包装 | 参数 | 库存 | 补货期 | 价格 |
| BK2020081701-01 | BK2020081701 | Ga-抛光 | 等级：B | 100 | 10800 | ||
| BK2020081701-02 | BK2020081701 | Ga-抛光 | 等级：C | 100 | 8400 | ||
| BK2020081701-03 | BK2020081701 | Ga-抛光 | 等级：A-2 | 100 | 14400 | ||
| BK2020081701-04 | BK2020081701 | Ga-抛光 | 等级：S-1 | 100 | 22800 | ||
| BK2020081701-05 | BK2020081701 | Ga-抛光 | 等级：S-2 | 100 | 16800 | ||
| BK2020081701-06 | BK2020081701 | Ga-抛光 | 等级：A-1 | 100 | 20400 | ||
| BK2020081701-07 | BK2020081701 | N-抛光 | 等级：B | 100 | 10800 | ||
| BK2020081701-08 | BK2020081701 | N-抛光 | 等级：C | 100 | 8400 | ||
| BK2020081701-09 | BK2020081701 | N-抛光 | 等级：A-2 | 100 | 14400 | ||
| BK2020081701-10 | BK2020081701 | N-抛光 | 等级：S-1 | 100 | 22800 | ||
| BK2020081701-11 | BK2020081701 | N-抛光 | 等级：S-2 | 100 | 16800 | ||
| BK2020081701-12 | BK2020081701 | N-抛光 | 等级：A-1 | 100 | 20400 | ||
| BK2020081701-13 | BK2020081701 | Double-抛光 | 等级：B | 100 | 11400 | ||
| BK2020081701-14 | BK2020081701 | Double-抛光 | 等级：C | 100 | 9000 | ||
| BK2020081701-15 | BK2020081701 | Double-抛光 | 等级：A-2 | 100 | 15000 | ||
| BK2020081701-16 | BK2020081701 | Double-抛光 | 等级：S-1 | 100 | 23400 | ||
| BK2020081701-17 | BK2020081701 | Double-抛光 | 等级：S-2 | 100 | 17400 | ||
| BK2020081701-18 | BK2020081701 | Double-抛光 | 等级：A-1 | 100 | 21000 |
性能参数:
2-inch Free-standing U-GaNSubstrates |
||||||||
Excellentlevel (S) |
Production level (A) |
Research level (B) |
Dummy level (C) |
Note: |
||||
S-1 |
S-2 |
A-1 |
A-2 |
|||||
Dimension |
50.8 ± 1 mm |
|||||||
Thickness |
350 ± 25 μm |
|||||||
Orientation flat |
(1-100) ± 0.5°, 16 ± 1 mm |
|||||||
Secondary orientation flat |
(11-20) ± 3°, 8 ± 1 mm |
|||||||
Resistivity (300K) |
0.5 Ω·cm for N-type (Undoped; GaN-FS-C-U-C50) |
|||||||
TTV |
≤ 15 μm |
|||||||
BOW |
≤ 20 μm |
≤ 40 μm |
||||||
Ga face surfaceroughness |
0.2 nm (polished) |
|||||||
N facesurface roughness |
0.5 ~1.5 μm |
|||||||
Package |
Packaged in a cleanroom in single wafer container |
|||||||
Useable area |
90% |
80% |
70% |
|||||
Dislocation density |
9.9x105cm-2 |
3x106cm-2 |
9.9x105cm-2 |
3x106cm-2 |
3x106cm-2 |
|||
Orientation：C plane (0001) off angle toward M-axis |
0.35 ± 0.15°(3 points) |
0.35 ± 0.15°(3 points) |
0.35 ± 0.15°(3 points) |
|||||
Macro defect density(hole) |
0 cm |
0.3 cm-2 |
1 cm-2 |
|||||
Max size of macro defects |
700 μm |
2000 μm |
4000 μm |
|||||
苏州凯发新材料科技有限公司
联系人：
杨经理
服务热线：
킁ꄶ킁섅킁ꁴ섅ꁴ혵
섅킁ꁴ-혵ꄶ혵킁
公司地址：
苏州工业园区东旺路8号8幢2楼206室
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