hBN 六方氮化硼晶体 BKTMDC010366

价格	￥600.00/片
起订量	≥20
所在地	江苏苏州	可售量 10000片

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苏州凯发新材料科技有限公司

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公司官网： www.nanomxenes.com

所在地区：江苏省苏州市

主营产品： MOF, 黑磷, 石墨炔, 纳米酶, 多层风琴状,

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基本参数

加工定制	是	产地	北京
公差	0.01	形状	圆形
表面处理	不经处理	厚度	不经处理
适用范围	不经处理	重量	不经处理

货号	CAS号	编号	包装	参数	库存	补货期	价格
BKTMDC010366-01		BKTMDC010366	1片		100		858
BKTMDC010366-02		BKTMDC010366	2片		100		1573
BKTMDC010366-03		BKTMDC010366	5片		100		3575
BKTMDC010366-04		BKTMDC010366	10片		100		6435
BKTMDC010366-05		BKTMDC010366	20片		100		11440

h-BN晶体尺寸达到2mm，h-BN薄片无缺陷产生，可以用作高性能2D电子和光子器件的2D绝缘模板的商用h-BN薄片。

六方氮化硼（h-BN）晶体非常适合作为2D材料的基板。h-BN晶体是高度结晶的，在1566cm-1处显示出强拉曼峰，FWHM小于5cm-1，显示5.2 eV带隙，被认为是宽带隙半导体/绝缘体。

Our h-BN crystals reach to 2mm in size and are considered as gold standard in 2D materials field. h-BN flakes are produced defect free which is the only commercial h-BN flake used as 2D insulating template for high performance 2D electronic and photonic devices.For an economical alternative please see our new product h-BN Flake Powder.Hexagonal boron nitride (h-BN) single crystals are ideal as a substrate for 2D materials. h-BN crystals are highly crystalline display strong Raman peak at 1566 cm-1 with FWHM less than 5cm-1. It displays 5.2 eV band gap and is considered wide-band gap semiconductor / insulator. Chemically inert, atomically flat.

应用领域：

电子产品；传感器-探测器；STM＆ndash；AFM应用程序；超低摩擦研究（摩擦学）；材料科学与半导体研究

Applicationfields:

Electronics;Sensors - detectors;STM – AFM applications;Ultra-low friction studies (tribology);Materials science and semiconductor research