铜基5000um石墨烯单晶
| 价格 | ￥4200.00/平方厘米 | |
| 起订量 | ≥4 | |
| 所在地 | 江苏 苏州 | 可售量 10000平方厘米 |
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| 货号 | CAS号 | 编号 | 包装 | 参数 | 库存 | 补货期 | 价格 |
| BKMK289-01 | 7440-44-0 | BKMK289 | 1片/包装 | 2*2cm2 | 100 | 4200 | |
| BKMK290-01 | 7440-44-0 | BKMK289 | 1片/包装 | 5*5cm2 | 100 | 9600 |
背景介绍：
目前制备高质量石墨烯的方法，有胶带剥离法、碳化硅或金属表面外延生长法和化学气相沉积法（CVD），前两种方法效率低，不适于大量制备。而迄今由CVD法制备的石墨烯，一般是由纳米级到微米级尺寸的石墨烯晶畴拼接而成的多晶材料。
石墨烯优异的电、光、强度等众多优异性质使其在电子学、自旋电子学、光电子学、太阳能电池、传感器等领域有着重要的潜在应用，但大规模高质量制备技术是制约其进入实际应用的瓶颈之一。
牧科纳米技术团队经过长时间的技术攻关，不用昂贵的金属基体，在常见的铜衬底，以低浓度甲烷和高浓度氢气通过常压CVD法，成功制备出了100微米到几个毫米级六边形单晶石墨烯及其构成的石墨烯薄膜。而且可以转移到任意衬底上，方便取用。
该方法转移的单晶石墨烯具有很高的质量，将其转移到Si/SiO2基体上制成场效应晶体管，测量显示该单晶石墨烯室温下的载流子迁移率可达7100 cm2V-1s-1。
常见的铜基体上生长大尺寸单晶石墨烯及其薄膜技术的突破，为石墨烯基本物性的研究及其在高性能纳电子器件、透明导电薄膜等领域的实际应用奠定了材料基础。
石墨烯单晶表征数据：
5000um石墨烯单晶照片：
扫描电子显微镜照片：
原子力显微镜照片：
扫描隧道显微镜照片:
拉曼光谱图：
拉曼图谱：
FET场效应晶体管和电子迁移率数值：
苏州凯发新材料科技有限公司
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杨经理
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