ITO基底MoSe2
价格 | ¥2030.00/mm²连续薄膜 | |
起订量 | ≥100 | |
所在地 | 江苏 苏州 | 可售量 10000mm²连续薄膜 |
产品推荐
货号 | CAS号 | 编号 | 包装 | 参数 | 库存 | 补货期 | 价格 |
BKTMDC123141-01 | BKTMDC123141 | 孤立晶粒 | 10mm*10mm | 100 | 2030 | ||
BKTMDC123141-02 | BKTMDC123141 | 连续薄膜 | 10mm*10mm | 100 | 2030 |
本公司目前可批量化制造高质量MoSe2薄膜。
目前最大尺寸4英寸圆片,更大尺寸(8,12英寸)即将面市。
制造方法:
化学气相沉积法, Chemical Vapor Deposition (CVD)
产品简介:
MoSe2薄膜分为多种:
1) 单层离散分布的孤立晶粒,边长一般是几十微米。
2) 由孤立晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜,上面有多层区域。
3) 基底:MoSe2可选基底较多,其中SiO2/Si基底为直接沉积产品。其他基底例如:硅片,PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在SiO2/Si上生长后转移至客户所需基底。
应用领域:
光电器件,微电子器件,生物传感,化学传感等领域。
包装及规格
10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圆片,4英寸圆片 或客户指定的定制尺寸。
净化抽真空包装, 1片/盒,5片/盒。10片/盒。
典型客户包括:
MIT、加州理工、斯坦福大学;
牛津大学、曼彻斯特大学;
首尔大学、韩国科学技术院(KAIST)、成均馆大学;
东京工业大学、村田制作所
清华大学、北京大学、中科院半导体所
等世界一流研究机构。
二硒化钼孤立晶粒
二硒化钼连续膜(含多层区域)
苏州凯发新材料科技有限公司
联系人:
杨经理
服务热线:
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公司地址:
苏州工业园区东旺路8号8幢2楼206室
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