SiO2/Si基底MoSe2 氧化层厚度 非300nm
| 价格 | ￥1150.00/克 | |
| 起订量 | ≥1 | |
| 所在地 | 江苏 苏州 | 可售量 10000克 |
产品推荐
| 货号 | CAS号 | 编号 | 包装 | 参数 | 库存 | 补货期 | 价格 |
| BKTMDC123022-01 | BKTMDC123022 | 30nm | 单层三角单晶晶粒 | 100 | 1150 | ||
| BKTMDC123022-02 | BKTMDC123022 | 其他厚度 | 单层三角单晶晶粒 | 100 | 1280 | ||
| BKTMDC123022-03 | BKTMDC123022 | 30nm | 单层连续薄膜 | 100 | 1150 | ||
| BKTMDC123022-04 | BKTMDC123022 | 其他厚度 | 单层连续薄膜 | 100 | 1280 | ||
| BKTMDC123022-05 | BKTMDC123022 | 30nm | 多层连续薄膜 | 100 | 1150 | ||
| BKTMDC123022-06 | BKTMDC123022 | 其他厚度 | 多层连续薄膜 | 100 | 1280 |
本公司目前可批量化制造高质量MoSe2薄膜。
目前最大尺寸4英寸圆片，更大尺寸（8，12英寸）即将面市。
制造方法：
化学气相沉积法， Chemical Vapor Deposition （CVD）
产品简介：
MoSe2薄膜分为多种：
1） 单层离散分布的孤立晶粒，边长一般是几十微米。
2） 由孤立晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜，上面有多层区域。
3） 基底：MoSe2可选基底较多，其中SiO2/Si基底为直接沉积产品。其他基底例如：硅片，PET，PI，ITO，FTO，玻璃，金属基底等是通过在SiO2/Si上生长后转移至客户所需基底。
应用领域：
光电器件，微电子器件，生物传感，化学传感等领域。
包装及规格
10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圆片，4英寸圆片 或客户指定的定制尺寸。
净化抽真空包装， 1片/盒，5片/盒。10片/盒。
典型客户包括：
MIT、加州理工、斯坦福大学；
牛津大学、曼彻斯特大学；
首尔大学、韩国科学技术院（KAIST）、成均馆大学；
东京工业大学、村田制作所
清华大学、北京大学、中科院半导体所
等世界一流研究机构。
二硒化钼孤立晶粒
二硒化钼连续膜（含多层区域）
苏州凯发新材料科技有限公司
联系人：
杨经理
服务热线：
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公司地址：
苏州工业园区东旺路8号8幢2楼206室
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