SiO2/Si基底MoS2 (氧化膜厚度300nm)
价格 | ¥1150/克 | |
起订量 | ≥1 | |
所在地 | 江苏 苏州 | 可售量 10000克 |
产品推荐
货号 | CAS号 | 编号 | 包装 | 参数 | 库存 | 补货期 | 价格 |
BKTMDC123040-01 | BKTMDC123040 | 300nm | 单层三角单晶晶粒/单层连续薄膜/多层连续薄膜 | 100 | 1150 | ||
BKTMDC123040-02 | BKTMDC123040 | 其他厚度 | 单层三角单晶晶粒/单层连续薄膜/多层连续薄膜 | 100 | 1270 |
目前最大尺寸4英寸圆片,更大尺寸(8,12英寸)即将面市。
无掺杂二硫化钼是层状N型半导体,属于过渡金属二硫族化合物,块状能带间隙为1.23eV (间接带隙),单层MoS2带隙~1.85eV(直接带隙)。
化学气相沉积法, Chemical Vapor Deposition (CVD)
MoS2薄膜分为多种:
1) 单层离散分布的三角状单晶晶粒,三角边长一般是几十至一百微米。
2) 由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。
3) 多层MoS2 连续薄膜。
4) 基底:MoS2可选基底较多,其中最常用的硅片基底、带氧化层硅片基底和蓝宝石基底为直接沉积产品。其他基底例如PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在蓝宝石上生长后转移至客户所需基底。
应用领域:
包装及规格
典型客户包括:
单层MoS2孤立晶粒 单层MoS2连续薄膜
AFM data of MoS2
Raman shift of MoS2
二氧化硅/硅基底二硫化钼薄膜
蓝宝石基底二硫化钼薄膜
单层MoS2 多层MoS2
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苏州北科纳米科技有限公司
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