ITO基底MoS2
| 价格 | ￥1400/克 | |
| 起订量 | ≥1 | |
| 所在地 | 江苏 苏州 | 可售量 10000克 |
产品推荐
| 货号 | CAS号 | 编号 | 包装 | 参数 | 库存 | 补货期 | 价格 |
| BKTMDC123035-01 | BKTMDC123035 | 单层三角单晶晶粒 | 100 | 1400 | |||
| BKTMDC123035-02 | BKTMDC123035 | 单层连续薄膜 | 100 | 1400 | |||
| BKTMDC123035-03 | BKTMDC123035 | 多层连续薄膜 | 100 | 1400 |
目前最大尺寸4英寸圆片，更大尺寸（8，12英寸）即将面市。
无掺杂二硫化钼是层状N型半导体，属于过渡金属二硫族化合物，块状能带间隙为1.23eV （间接带隙），单层MoS2带隙~1.85eV（直接带隙）。
化学气相沉积法， Chemical Vapor Deposition （CVD）
MoS2薄膜分为多种：
1） 单层离散分布的三角状单晶晶粒，三角边长一般是几十至一百微米。
2） 由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。
3） 多层MoS2 连续薄膜。
4） 基底：MoS2可选基底较多，其中最常用的硅片基底、带氧化层硅片基底和蓝宝石基底为直接沉积产品。其他基底例如PET，PI，ITO，FTO，玻璃，金属基底等是通过在蓝宝石上生长后转移至客户所需基底。
应用领域：
包装及规格
典型客户包括：
单层MoS2孤立晶粒 单层MoS2连续薄膜
AFM data of MoS2
Raman shift of MoS2
二氧化硅/硅基底二硫化钼薄膜
蓝宝石基底二硫化钼薄膜
单层MoS2 多层MoS2
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苏州北科纳米科技有限公司
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杨女士
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