苏州北科纳米科技有限公司
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砷化镓GaAs基底MoS2

价格 1550/克
起订量 ≥1
所在地 江苏 苏州 可售量 10000克

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基本参数

加工定制 产地 北京
公差 0.01 形状 矩形
表面处理 不经处理 厚度 不经处理
适用范围 不经处理 重量 不经处理


货号 CAS号 编号 包装 参数 库存 补货期 价格
BKTMDC123025-01 BKTMDC123025
单层三角单晶晶粒 100
1550
BKTMDC123025-02 BKTMDC123025
单层连续薄膜 100
1550
BKTMDC123025-03 BKTMDC123025
多层连续薄膜 100
1550


目前最大尺寸4英寸圆片,更大尺寸(8,12英寸)即将面市。

无掺杂二硫化钼是层状N型半导体,属于过渡金属二硫族化合物,块状能带间隙为1.23eV (间接带隙),单层MoS2带隙~1.85eV(直接带隙)。

化学气相沉积法, Chemical Vapor Deposition (CVD)

MoS2薄膜分为多种:
1) 单层离散分布的三角状单晶晶粒,三角边长一般是几十至一百微米。
2) 由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。
3) 多层MoS2 连续薄膜。
4) 基底:MoS2可选基底较多,其中最常用的硅片基底、带氧化层硅片基底和蓝宝石基底为直接沉积产品。其他基底例如PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在蓝宝石上生长后转移至客户所需基底。

应用领域:

包装及规格

典型客户包括:

单层MoS2孤立晶粒 单层MoS2连续薄膜

AFM data of MoS2



 石英基底二硫化钼薄膜

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