苏州北科纳米科技有限公司
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二硫化钼05硅片基底MoS2

价格 1056/件
起订量 ≥1
所在地 江苏 苏州 可售量 10000件

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基本参数

品牌 型号 硅片基底
加工定制 产地 北京
公差 0.01 类型 二维薄膜材料CVD
表面处理 不经处理 厚度 不经处理
适用范围 不经处理 重量 不经处理
货号 用途 科研二维材料
加工能力 科研实验 规格 单层/多层连续薄膜,单层三角单晶晶粒
是否跨境出口专供货源

亲,有需要可以联系15652932614

基本性质:

无掺杂二硫化钼是层状N型半导体,属于过渡金属二硫族化合物,块状能带间隙为1.23eV (间接带隙),单层MoS2带隙~1.85eV(直接带隙)。

制造方法:

化学气相沉积法, Chemical Vapor Deposition (CVD)

产品简介:

MoS2薄膜分为多种: 1) 单层离散分布的三角状单晶晶粒,三角边长一般是几十至一百微米。 2) 由三角晶粒继续长大连在一起的单层连续薄膜。 3) 多层MoS2 连续薄膜。 4) 基底:MoS2可选基底较多,其中最常用的硅片基底、带氧化层硅片基底和蓝宝石基底为直接沉积产品。其他基底例如PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金属基底等是通过在蓝宝石上生长后转移至客户所需基底。

应用领域:

光电器件,微电子器件,生物传感,化学传感等领域。

包装及规格

10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圆片,4英寸圆片 或客户指定的定制尺寸。 净化抽真空包装, 1片/盒,5片/盒。10片/盒。

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