CVD法 氧化硅基底单层石墨烯薄膜
| 价格 | ￥360/平方厘米单层B | |
| 起订量 | ≥1 | |
| 所在地 | 江苏 苏州 | 可售量 10000平方厘米单层B |
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| 货号 | CAS号 | 编号 | 包装 | 参数 | 库存 | 补货期 | 价格 |
| BKJCGRFSIO-01 | BKJCGRFSIO | 1cm*1cm 单层A | 100 | 624 | |||
| BKJCGRFSIO-02 | BKJCGRFSIO | 1cm*1cm 单层B | 100 | 360 | |||
| BKJCGRFSIO-03 | BKJCGRFSIO | 1cm*1cm 少层 | 100 | 456 | |||
| BKJCGRFSIO-04 | BKJCGRFSIO | 2cm*2cm 单层A | 100 | 1632 | |||
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| BKJCGRFSIO-07 | BKJCGRFSIO | 5cm*5cm 单层A | 100 | 4620 | |||
| BKJCGRFSIO-08 | BKJCGRFSIO | 5cm*5cm 单层B | 100 | 2640 |
产品名称：CVD法 氧化硅基底单层石墨烯薄膜
产品性质
薄膜颜色：无色透明
产品牌号: JCGRFSIO
方阻：单层A300-600 Ω/□单层B700-1500 Ω/□少层 500-1200Ω/□
石墨烯薄膜的层数为单层或少层（小于10层）。该薄膜完整性高，单层覆盖率高，导电性好，迁移率可达～6000cm2/vs。
石墨烯转移至氧化硅片上，客户也可以自己提供氧化硅片，我们转移。
氧化硅参数：
类型：Ｐ型重掺杂（R:3×10-3Ωcm）
厚度：525±20μm
氧化层厚度：300nm
最大可做7cm*7cm（可内接4英寸氧化硅基底或满转）
本产品应密封保存于干燥环境中，且温度低于35℃。严禁与易挥发物质和污染源接触。远离火源。
备注：A级单层覆盖率大于97%，B级单层覆盖率大于85%，少层石墨烯厚度在10层以内，可提供定制服务
苏州北科纳米科技有限公司
联系人：
杨女士
服务热线：
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公司地址：
苏州工业园区东旺路8号8幢2楼201室
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