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基本参数
抗压强度/MPa | ≥20 | 干缩率/% | ≤0.10 |
抗折强度/MPa | ≥10.0 | 界面弯拉强度 | ≥2.0 |
粘结强度/MPa | ≥2.0 | 粒度 | 200 |
型号 | 200 | 货号 | 2466 |
为解决多孔金属结合剂CBN砂轮在高孔隙率下的强度下降问题,采用球形尿素颗粒为造孔剂,制作孔径、孔形和孔隙可控的多孔金属结合剂砂轮磨料层胎体,研究不同载荷情况下的孔隙率和孔隙排布等孔隙结构因素,对多孔金属结合剂磨料层胎体力学性能的影响规律。结果表明:孔隙有序排布时的胎体弹性模量要小于孔隙无序排布的;胎体材料的屈服强度随孔隙率增大而下降;在相同孔隙率下,孔隙有序排布的胎体,在纵向受压、孔隙正向排布的情况下屈服强度更高。
珍珠岩抛光磨料17.2简介:珍珠岩是一种玻璃质酸性喷出岩,SiO2含量高,超过65%,一般为65%一78%。碱质(K2O十Na2O)含量较高,约为7%一8%。珍珠岩中含水量一般为2%一6%,水是在岩浆快速冷凝时,其中的水蒸气来不及逸出而包裹在其中的。珍珠岩呈无色、淡灰、兰绿等颜色,玻璃光泽,一般发育有同心圆状的珍珠裂理。珍珠裂理是珍珠岩冷凝收缩时形成的,是珍珠岩发育的特征。【中信抛光磨料】17.3产品流程:珍珠岩抛光磨料:珍珠岩经过粉碎、筛分等工艺流程,即可成为抛光磨料。17.4产品分类:目前国内珍珠岩抛光磨料一般有70目、90目、120目三种。17.5产品特征:该产品色泽呈灰白色至白色,莫氏硬度5.7,粒径分布0.8μm~80μm,其中产品型号以中心粒径划分,如120目产品,其17+或-1μm粒径不少于50%。
采用雾化施液化学机械抛光(CMP)的方法,以材料去除速率和表面粗糙度为评价指标,选取适合硒化锌抛光的磨料,通过单因素实验对比CeO2、SiO2和Al2O3三种磨料的抛光效果。结果显示:采用Al2O3抛光液可以获得的材料去除率,为615.19nm/min,而CeO2和SiO2磨料的材料去除率分别只有184.92和78.56nm/min。进一步分析磨料粒径对实验结果的影响规律,表明100nm Al2O3抛光后的表面质量,粗糙度Ra仅为2.51nm,300nm Al2O3的去除速率,达到1 256.5nm/min,但表面存在严重缺陷,出现明显划痕和蚀坑。在相同工况条件下,与传统化学机械抛光相比,精细雾化抛光的去除速率和表面粗糙度与传统抛光相近,但所用抛光液量约为传统抛光的1/8,大大提高了抛光液的利用率。
对InP晶片进行了集群磁流变抛光实验,研究了抛光过程中磨料参数(类型、质量分数和粒径)对InP材料去除速率和表面粗糙度的影响。实验结果表明,InP晶片的去除速率随磨料硬度的增加而变大,表面粗糙度受磨料硬度和密度的综合影响;在选取的金刚石、SiC、Al2O3和SiO2等4种磨料中,使用金刚石磨料的InP去除速率,使用SiC磨料的InP抛光后的表面质量。随着SiC质量分数的增加,InP去除速率逐渐增加,但表面粗糙度先减小后增大。当使用质量分数4%、粒径3μm的SiC磨料对InP晶片进行抛光时,InP去除速率达到2.38μm/h,表面粗糙度从原始的33 nm降低到0.84 nm。
珍珠岩抛光磨料17.2简介:珍珠岩是一种玻璃质酸性喷出岩,SiO2含量高,超过65%,一般为65%一78%。碱质(K2O十Na2O)含量较高,约为7%一8%。珍珠岩中含水量一般为2%一6%,水是在岩浆快速冷凝时,其中的水蒸气来不及逸出而包裹在其中的。珍珠岩呈无色、淡灰、兰绿等颜色,玻璃光泽,一般发育有同心圆状的珍珠裂理。珍珠裂理是珍珠岩冷凝收缩时形成的,是珍珠岩发育的特征。【中信抛光磨料】17.3产品流程:珍珠岩抛光磨料:珍珠岩经过粉碎、筛分等工艺流程,即可成为抛光磨料。17.4产品分类:目前国内珍珠岩抛光磨料一般有70目、90目、120目三种。17.5产品特征:该产品色泽呈灰白色至白色,莫氏硬度5.7,粒径分布0.8μm~80μm,其中产品型号以中心粒径划分,如120目产品,其17+或-1μm粒径不少于50%。
采用雾化施液化学机械抛光(CMP)的方法,以材料去除速率和表面粗糙度为评价指标,选取适合硒化锌抛光的磨料,通过单因素实验对比CeO2、SiO2和Al2O3三种磨料的抛光效果。结果显示:采用Al2O3抛光液可以获得的材料去除率,为615.19nm/min,而CeO2和SiO2磨料的材料去除率分别只有184.92和78.56nm/min。进一步分析磨料粒径对实验结果的影响规律,表明100nm Al2O3抛光后的表面质量,粗糙度Ra仅为2.51nm,300nm Al2O3的去除速率,达到1 256.5nm/min,但表面存在严重缺陷,出现明显划痕和蚀坑。在相同工况条件下,与传统化学机械抛光相比,精细雾化抛光的去除速率和表面粗糙度与传统抛光相近,但所用抛光液量约为传统抛光的1/8,大大提高了抛光液的利用率。
对InP晶片进行了集群磁流变抛光实验,研究了抛光过程中磨料参数(类型、质量分数和粒径)对InP材料去除速率和表面粗糙度的影响。实验结果表明,InP晶片的去除速率随磨料硬度的增加而变大,表面粗糙度受磨料硬度和密度的综合影响;在选取的金刚石、SiC、Al2O3和SiO2等4种磨料中,使用金刚石磨料的InP去除速率,使用SiC磨料的InP抛光后的表面质量。随着SiC质量分数的增加,InP去除速率逐渐增加,但表面粗糙度先减小后增大。当使用质量分数4%、粒径3μm的SiC磨料对InP晶片进行抛光时,InP去除速率达到2.38μm/h,表面粗糙度从原始的33 nm降低到0.84 nm。
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河南省信阳市平桥区平桥工业区
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