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TMG WQ232-PVDF 2XPT100

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所在地 广东 深圳 可售量 99991

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基本参数

产品上市时间 TMG 品牌 TMG
尺寸 WQ232-PVDF 2XPT100 电压 WQ232-PVDF 2XPT100
上市时间 芯片 型号 芯片
产品尺寸 德国 产品类别 德国
产品类型 进口 产品规格 进口
使用环境 1

TMG  WQ232-PVDF 2XPT100

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我们的“Thermal Measurement and Gauges System 2000”设备主要用于机械工程和设备制造。它的优势在于其通用性、与其他类型的传感器(例如压力)的一致性、与显示、存储和调节设施的兼容性,以及标准的 4 – 20 mA 信号输出,非常适合与 BUS 系统一起使用。

tmg 的测量和仪表系统并不是市场上唯一的系统。有时会使用“热系统”这个名称。但是,tmg 的系统涵盖了以下所有选项:

热分离

锥形保护管

各种过程连接

直接应用在芯片上

4 – 20 mA 和电路输出

压力和温度的组合


用于标准工业应用的电阻温度计和热电偶

盱标准工业应用的电阻温度计和热电偶

带保护管的接头(St,VACrMo高达600°C)

耐热保护管中的钢加强型热电偶类型

陶瓷保护管(单管或双管)和毛细管C799、C610、 碳化硅过程连接法兰或螺纹连接( G1/2、 G3/4、 M20x1.5、 M27x2 )

连接头、外殪插头或电缆出口带有聚四氟乙烯、硅胶、PVC或玻璃纤维绝缘电缆的电缆出口智能特殊设计


随着人们对压电聚偏二氟乙烯 (PVDF) 在纳米发电机 (NG)、传感器和微型设备中的应用越来越感兴趣,人们正在寻求最有效和最合适的合成方法。静电纺丝是制备高含量β相PVDF纳米纤维薄膜的有效方法,无需额外的高压极化或机械拉伸,因此被认为是一种经济可行且相对简单的方法。这项工作讨论了影响制备具有更高电输出的 PVDF 薄膜所需相的参数。最佳制备条件(如溶液浓度、溶剂、PVDF 的分子量等)的设计和选择可提高 NG、传感器和其他应用中的电性能和性能。此外,还讨论了在 PVDF 薄膜中显示出有效改进的纳米颗粒添加剂的效果。例如,BaTiO2 的添加剂在图 3 中,总结了碳纳米管、石墨烯、纳米粘土等,以显示它们对电纺 PVDF 中更高压电响应的贡献。本综述还分析了最近报道的静电纺 PVDF 薄膜的应用。


具有压电特性的 PVDF 可以通过简单的相变、使用溶剂浇铸、添加成核填料或开发 PVDF 共聚物来获得 [ 41 ]。相变方法通常涉及聚合物在高电场中的熔化、拉伸和极化过程。Kawai 首先使用单轴拉伸来制造 β 相 PVDF [ 22 , 23 ]。使用相同的方法通过常规结晶从熔体中获得非极性 α 相 [ 42 ]。工艺的缺点是从α相向β相PVDF的转变很少完全,大约20%的α相残留在材料中。

上述方法仅适用于制备几微米厚的薄膜。然而,在许多应用中也需要具有纳米级厚度的薄膜,因此,诸如静电纺丝、溶剂蒸发和旋涂等溶剂浇铸方法越来越受到关注。聚合物薄膜可以由稀释的溶液使用旋涂[制造43,44,45 ]。例如,奔驰等人。使用二甲基甲酰胺 (DMF) 和丙酮作为溶剂,通过旋涂产生 2 μm 厚的 PVDF 薄膜 [ 46 ]。结果,湿度条件和旋转速度被确定为影响薄膜表面粗糙度和β相含量的主要因素。

与旋涂一起,溶剂蒸发法被认为是制造 PVDF 薄膜的最简单方法之一,其中所需的薄膜浇铸在基板上,随后溶剂蒸发 [ 47 , 48 ]。迪亚尼等人。制造具有高孔隙率的 PVDF 薄膜,从而提高了材料的离子电导率。然而,由于压电系数低,原始铸造 PVDF 的 β 相含量较低 [ 49 , 50 , 51 , 52 ]。Horibe 等人在他们的工作中确定,溶剂浇铸产生的 PVDF 的晶体结构主要由溶剂蒸发速率决定 [ 53]。其他方法如流延、热压、模板和相分离也得到了深入研究。然而,在缺点中,我们可以强调;形状,成本的不规则性,并且合成过程的复杂性[ 52,54 ]。

上述所有方法都需要对 PVDF 薄膜进行额外的极化或机械拉伸,以转换偶极子方向,以获得所需的具有更高压电响应的 β 相。因此,与它们相比,静电纺丝是一种通用且一致的技术,它允许使用静电力从液态聚合物溶液或熔体中生产纳米纤维 [ 55 , 56 ]。通常,该装置由高压电源、喷丝头、注射泵和接地收集器组成 [ 48]。一旦打开电压,施加的电场就会克服液滴的表面张力,聚合物溶液的射流在称为泰勒锥的圆锥形上拉长。到达接地的收集器后,溶液通过形成随机排列的细聚合物纤维而蒸发。在所得纤维的形成过程中,可以通过控制各种参数来改变微观结构和尺寸 [ 19 , 57 ]。在下面的部分中,我们将进一步讨论直接影响所得 PVDF 纳米纤维薄膜压电性能的静电纺丝工艺参数。


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