苏州晶格电子有限公司

主营产品：四探针测试仪系列, 粉末电阻率测试仪系列, 超高阻微电流测试仪系, 土壤电阻率测试仪, PN导电类型鉴定仪, 毫欧计微欧计,

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晶格 M3 便携式手持式方块电阻测试仪 ITO膜方阻仪方块电阻仪

价格	￥3200/个
起订量	≥1
所在地	江苏苏州	可售量 9999个

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基本参数

品牌	JG/晶格	精度	0.5～ 1%
重量	0.3	尺　寸	WHL=10cm3.6cm21cm
电　源	可充电锂电池	测量范围	0.010Ω-cm/□～ 20000 Ω-cm/□
校准周期	1年	加工定制	是
相对湿度	《=75	重复误差	0.5%
产地	苏州	是否进口	否
类型	数字式电阻测量仪表	型号	M-3型便携式
测试电压	3.5	环境温度	0到35度
是否跨境出口专供货源	否	功率	0.005

晶格 M3便携式手持式方块电阻测试仪 ITO膜方阻仪方块电阻仪

一、结构特征

M3手持式四探针测试仪主机配ST2253-F01钨针探头测试硅片配ST2558B-F01薄膜探头测试ITO膜

二、概述

2.1基本功能和依据标准：

M3手持式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试材料电阻率/方块电阻的多用途、高性价比测量仪器。

该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》等国标并参考美国 A.S.T.M 标准。

2.2配套组成：标准配置由M-3型主机、选配的四探针探头等二部分组成，也可加配测试台当台式机使用。

2.3优势特征：

1美观适用：彩色流线型手持式面板、带防滑垫，符合人体工程学设计。适合手持式变动场合操作使用，也可以定制小型旅行手提箱包装，便于野外或旅行使用。

2高精度：带完善厚度、形状修正功能，测试精准。同行中手持式多为简易程序，没有完整修正功能，无法修正误差。

3宽量程：超宽五个档位，相当于中档台式机的量程，同行中手持式多为两到三个档位，测试范围有限，适应性不广。

4操作简便、性能稳定：轻触数字化键盘实现参数设定、功能转换，简便而且免除模拟定位器的不稳定易受干扰。

5手动/自动一体化：

6显示方式美观清晰：由高亮绿色数码和ＬＥＤ数字表头显示，不怕环境背景暗或野外强光；

7待机和工作时间长（不小于两天），有大容量可充电锂电池电池供电，环保耐用。

2.4探头选配：根据不同材料特性需要，探头可有多款选配。详情见《四探针探头型号规格特征选型参照表》

1配高耐磨的碳化钨探针探头，如ST2253-F01型，以测试硅等半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻；

2配不伤膜的球形或平头镀金铜合金探针探头，如ST2558B-F01型，可测金属箔、碳纸等导电薄膜，也可测陶瓷、玻璃或PE膜等基底上导电涂层膜，如金属镀膜、喷涂膜、ITO膜、电容卷积膜等材料的薄膜涂层电阻率/方阻。

3配专用箔上涂层探头，如ST2558B-F02型，也可测试锂电池电池极片等箔上涂层电阻率/方阻。

4换上四端子测试夹具，还可对电阻器的体电阻进行测量。

2.5测试台选配：根据不同材料特性需要，测试台可有多款选配。详情见《四探针测试台型号规格特征选型参照表》

四探针法测试固体或薄膜材料选配SZT-A型或SZT-B型（电动）或SZT-C型（快速恒压）测试台。

二探针法测试细长棒类材料选配SZT-K型测试台.

平行四刀法测试橡塑材料选配SZT-G型测试台。

2.6适用范围：手持式使用，仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、高等院校四探针法对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试。

。

三、基本技术参数

1.测量范围、分辨率

电阻： 0.010Ω～ 50.00kΩ, 分辨率0.001Ω～ 10 Ω

电阻率： 0.010Ω-cm～ 20.00kΩ-cm，分辨率0.001Ω～ 10 Ω-cm

方块电阻： 0.050Ω/□ ～ 100.00kΩ/□ 分辨率0.001Ω～ 10 Ω/□

2.可测材料尺寸

手持方式不限材料尺寸，但加配测试台则由选配测试台决定如下：

直径：SZT-A圆测试台直接测试方式 Φ15～130mm。

SZT-C方测试台直接测试方式180mm×180mm。

长(高)度：测试台直接测试方式 H≤100mm。.

测量方位: 轴向、径向均可.

3.量程划分及误差等级（括号内为拓展量程）

量程（Ω-cm/□）	2.000 （200.0ｍ）	20.00 （2.000ｍ）	200.0 （20.00）	2.000k （200.0）	20.00k （2.000k）
电阻测试范围	0.010～2.200	2.000～22.00	20.00～220.0	0.200～2.200k	2.000～50.00k
电阻率/方阻	0.010/0.050～2.200	2.000～22.00	20.00～220.0	0.200～2.200k	2.000～20.00k/100.0k
基本误差	±1%FSB±2LSB			±2%FSB±2LSB