东科 DK5V85R15C 功率85V 15mΩ 封装SM-7

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所在地	广东深圳	可售量 9999件

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基本参数

品牌	东科	封装	SM-7
产品类型	优势	是否跨境货源	否
最大工作频率	120 KHz	批号	11581389
NMOS 导通电阻	15 mΩ	焊接温度	260/5S ℃
结工作温度范围	-40~150℃	储存温度范围	-55~155 ℃
NMOS 源漏耐压	85 V	数量	9999

深圳市腾华泰电子有限公司主营：DK112，DK1203，DK124

DK912DK5V85R15C

IDM模式也就是垂直整合模式。与“无晶圆厂－芯片外包代工模式”相对的半导体设计制造模式为“垂直整合模式”（英语：IDM,IntegratedDesignandManufacture），即一个公司包办从设计、制造到销售的全部流程，需要雄厚的运营资本才能支撑此营运模式，如英特尔和三星。三星电子一方面是垂直整合模式，能制造自己设计的芯片；另一方面，它也扮演代工厂的角色，同时给苹果公司为iPhone、iPad设计的处理器提供代工服务。
DK5V45R25SDK5V85R15C

掺杂特性半导体的电导率并不是一成不变的，它会随着掺入杂质元素、受热、受光照、受到外力等种种外界条件，而在绝缘体和金属之间电导率区间内发生变化，这些特性使得半导体衍生出了较为丰富的应用场景一种是掺入Ⅴ族元素（常用的有磷P、As），V族元素相比Ⅳ族的外层电子多出一个，多出的电子能够作为导电的来源，这种掺杂手段被称为N（Negative）型掺杂另一种是掺入Ⅲ族元素（常用的有硼B、BF2），Ⅲ族元素相比Ⅳ族的外层电子少一个，这种缺少电子的空位被称为空穴，空穴同样能够导电，对应的掺杂手段被称为P型掺杂PN结把PN这两种半导体面对面放一起会咋样？不用想也知道，N型那些额外的电子必然是跑到P型那些空位上去了，一直到电场平衡为止，这就是大名鼎鼎的“PN结”(动图来自《科学网》张云的博文)PN结具有单向导电性，电流只能从这一头流向另一头，无法从另一头流向这一头如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极，大多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结，形成较大的扩散电流，称为正向电流如果加个反向的电压，多数载流子扩散运动减弱，没有正向电流通过PN结，只有少数载流子的漂移运动形成了反向电流。

DK5V120R15ST1DK5V85R15C

面接触型二极管面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流(几安到几十安)，主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。面接触型晶体二极管比较适用于大电流开关。平面型二极管平面型二极管是一种的硅二极管，得名于半导体表面被制作得平整。，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。在半导体单晶片(主要地是N型硅单晶片)上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因PN结合的表面被氧化膜覆盖，稳定性好和寿命长。它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。

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