中昊芯测 分立器件测试仪/晶体管图示 SC2010 能测SiC GaN MOS IGBT 晶闸管 光耦等26分类的元器件
| 价格 | ￥185000/套 | |
| 起订量 | ≥1 | |
| 所在地 | null null | 可售量 100套 |
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西安中昊芯测科技有限公司
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进入店铺基本参数
| 厂商/商家/品牌 | 中昊芯测 | 牌号 | SC2010 |
| 测试电压 | 2KV | 测试电流 | 100A |
| 电压分辨率 | 1mV | 电流分辨率 | 0.1nA |
| 测试精度 | 0.2%+2 | 测试速度 | 0.5ms |
| 测试方式 | 程控脉冲式 | 脉冲宽度 | 300uS至5mS |
SC2010半导体分立器件测试系统(含曲线功能)
1、系统配置简介
1.1系统概述
SC2010是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统，本系统可自动生成功率器件的I-V 曲线，也可根据客户的实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统在失效分析，IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是6to20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来，数据捕获的曲线可导入EXCEL等格式进一步分析研究，是一款高效多功能的高端半导体测试设备。
本系统使用方便，只需要通过USB或者RS232与电脑连接，通过电脑中友好的人机界面操作，即可完成测试。并可以实现测试数据以EXCEL和WORD的格式保存。系统提供过电保护功能，门极过电保护适配器提供了广泛的诊断测试。这些自我测试诊断被编成测试代码,以提供自我测试夹具,在任何时间都可以检测。对诊断设备状态和测试结果提
供了可靠地保证。
1.2技术指标
1.测 试电压：≤2KV
2.测 试电流：≤100A
3.电 压分辨率：1mV
4.电流分辨率：0.1nA
5.测 试 精度：0.2% 2LSB
6.测 试 速度：约0.5ms/参数
7.测 试 方式：程控脉冲式
8.脉冲宽度：300uS至5mS
1.3 系统规格
1.工作温度：25℃-40℃
2.贮存温度: -15℃-50℃
3.工作湿度：45%--80%
4.贮存湿度：10%--90%
5.工作电压：200v--240v
6.电源频率：47HZ--63HZ
7.通信接口：RS232 USB
8.系统功耗：150w
9.设备尺:450mm×570mm×280mm
1.4测试范围/参数项目
SC2010测试系统是专为测试半导体分立器件而研发设计。它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力，能够真实准确测试以下类型的半导体器件以及相关器件组成的组合器件、器件阵列：
序号 |
测试器件类别 |
测试参数列表 |
1 |
二极管DIODE |
IR；BVR；VF |
2 |
晶体管（NPN型/PNP型） |
ICBO；ICEO；ICER；ICES；ICEV；IEBO；BVCEO；BVCBO；BVEBO； HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF |
3 |
J型场效应管J-FET |
IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；IDSS；GFS；VGSOFF |
4 |
MOS场效应管MOS-FET |
IDSS；IDSV；IGSSF；IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；VGSTH；VDSON、 VF(VSD)IDON；VGSON；RDSON；GFS |
5 |
双向可控硅TRIAC |
VD ；VD-；VT；VT-；IGT；VGT；IL ；IL-；IH ；IH- |
6 |
可控硅SCR |
IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；IGT；VGT；IL；IH |
7 |
绝缘栅双极大功率晶体管IGBT |
ICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；VGEON；VF；GFS |
8 |
硅触发可控硅STS |
IH ；IH-；VSW ；VSW-；VPK ；VPK-；VGSW ；VGSW- |
9 |
达林顿阵列DARLINTON |
ICBO；ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO；BVCER；BVCEE； BVCES；BVCBO；BVEBO；hFE；VCESAT；VBESAT；VBEON |
10 |
光电耦合OPTO-COUPLER |
ICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO；；CTR；HFE； VCESAT；VSAT；VF(Opto-Diode) |
11 |
继电器RELAY |
RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME；RELTIME |
12 |
稳压、齐纳二极管ZENER |
IR；BVZ；VF；ZZ |
13 |
三端稳压器REGULATOR |
Vout；Iin； |
14 |
光电开关OPTO-SWITCH |
ICOFF；VD；IGT；VON；ION；IOFF |
15 |
光电逻辑OPTO-LOGIC |
IR；VF；VOH；VOL；IFON；IFOFF |
16 |
金属氧化物压变电阻MOV |
IDID-；VN ；VN-；VC ；VCLMP-；VVLMP； |
17 |
固态过压保护器SSOVP |
IDID-；VCLAMP ,VCLAMP-；VT 、VT-；IH 、IH-；；IBO IBO-； VBOVBO-；VZVZ- |
18 |
压变电阻VARISTOR |
ID ；ID-；VC ；VC- |
19 |
双向触发二极管DIAC |
VF ,VF-,VBO ,VBO-,IBO ,IBO-,IR ,IR-, |
1.5曲线列表
1.5系统软件支持
器件测试程序的生成是通过在一台运行系统为Windows或WindowsNT的PC机上SC2010接口程序实现的。该程序提供快速的器件测试程序生成，具有全屏显示和增强型编辑帮助。
一种填空式编程方法向用户提供简明、直观的使用环境。操作人员只需在提示下，输入所选器件系列名称和测试类型，并选择所需测试的参数，而不必具有专业计算机编程语言知识。完成一个器件的测试程序编制只需几分钟的时间，非常快捷方便。
2、系统内部简介
2.1概述
SC2010测试系统通过PC机对其内部功率源、测试施加条件、测试具体线路进行控制，达到对器件进行测试的目的。
在一定的测试条件下，这些源与条件负载按照条件准确的连接，其中包含了大量的负载、转换功率源和所要求的外部测试线路。
2.2系统特点
1.图形显示功能2.局部放大功能
3.程序保护最大电流/电压,以防损坏4.品种繁多的曲线
5.可编程的数据点对应6.增加线性或对数
7.可编程延迟时间可减少器件发热
8.保存和重新导入入口程序
9.保存和导入之前捕获图象
10.曲线数据直接导入到EXCEL
11.曲线程序和数据自动存入EXCEL
12.程序保护最大电流/电压,以防损坏
3、器件参数/技术指标
3.1二极管DIODE
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
IR |
0.10Vto999V(2kV)（1） |
1nA(10pA)（2）to50mA |
1nA(1pA)（2） |
BVR |
0.10Vto999V(2kV)（1） |
1nAto3A |
1mV |
VF |
0.10Vto5.00V to9.99V |
IF: 10uAto49.9A(1.2kA)（4） to25A(200A)（4） |
1mV |
3.2晶体管TRANSISTOR
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
|||||
ICBO ICEO/R/S/VIEBO |
0.10Vto999V(2kV)（1） 0.10Vto 20V(80V)（3） |
1nA(10pA)（2）to50mA 1nA(10pA)（2）to3A |
1nA(1pA)（2） |
|||||
BVCEO |
0.10V to450V(900V)（1） |
1nAto 200mAto100mA |
1mV |
|||||
(电流大于10mA， |
to700V(1.4kV)（1） |
to50mA |
||||||
脉冲宽度300us) |
to800V(1.6kV)（1） |
to50mA |
||||||
BVCBO |
0.10Vto999V(2kV)（1） |
1nA(10pA)（2）to3A |
||||||
BVEBO |
0.10Vto 20V(80V)（3） |
|||||||
hFE (1to99,999) |
VCE:0.10V |
to to to |
5.00V 9.99V 49.9V |
（5） |
IC: 10uA to 49.9A(1.2kA) （4） to25A(200A)（4） to3A IB:1nAto10A |
0.01hFE |
||
VCESAT |
VCE： |
IE： |
1mV |
|||||
VBESAT |
0.10Vto5.00V |
10uAto |
49.9A(1.2kA)（4） |
|||||
VBE(VBEON) |
to9.99V |
to |
25A(200A)（4） |
|||||
RE(间接参数) |
VBE：.10Vto9.99V |
IB：1nA |
to10A |
|||||
3.3稳压二极管、齐纳二极管ZENER
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
IR |
0.10Vto999V(2kV)（1） |
1nA(10pA)（2）to 50mA |
1nA(1pA)（2） |
BVZ VzMIN IR |
0.1Vto5.000V to9.999V to50.00V to700V(1.4kV)(1) to999V(2kV)(1) BVZSoak-50V(100V)(1) 0to50ms to99sec |
10uAto49.9A(1.2kA)(4) to25A(200A)(4)
80mA |
1mV |
VF |
0.10Vto5.00V to9.99V |
IF:10uAto49.9A(1.2kA)(4) to25A(200A)(4) |
1mV |
ZZ(1kHz) 0.1Ω to20kΩ |
0.1Vto200VDC 50μVto300mV RMS |
100μAto500mA DC |
0.001Ω1μV |
3.4三端电源稳压器件REGULATOR
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
Vo Input/ Output Regulation(混合参数) |
VO：0.10Vto20V(50V)(3) VIN：0.10Vto49.9V 负载：电阻或电流型 |
IO：1mAto5A |
1mV |
IIN |
VIN：0.10Vto20V(50V)(3) 负载：RGK1kΩ、10kΩ外接，开路，短路 |
IIN：1mAto3A |
10nA |
3.5J型场效应管J-FET
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
|||
IGSS IDOFF、IDGO |
VGS:0.10Vto20V(80V)(3) VDS:0.10Vto999V(5kV)(1) |
1nA(10pA)(to3A1nA(10pA)(2) to50mA |
1nA(1pA)(2) |
|||
BVDGO |
0.10V |
to |
999V(2kV)(1) |
1nAto50 mA |
1mV |
|
BVGSS |
0.10V |
to |
20V(80V)(3) |
1nAto3A |
||
VDSON，VGSON |
0.10V |
to |
5.00V |
ID:10uA |
1mV |
|
IDSS，IDSON |
to |
9.99V |
to49.9A(1.2kA)(4) |
|||
RDSON(混合参数) |
to25A(200A)(4) |
|||||
gFS(混合参数) |
IG：1nAto10A |
|||||
VGSOFF |
0.10V |
to |
20V(80V)(3) |
ID：1nA（10pA）（2）to3A |
1mV |
|
VD：0.10Vto50V |
||||||
3.6MOS场效应管MOS-FET
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
IDSS/V IGSSFIGSSRVGSFVGSR |
0.10Vto 999V(2kV(1) 0.10Vto 20V(80V)(3) |
1nA(10pA)(2)to50mA 1nA(10pA)(2)to3A |
1nA(1pA)(2) |
BVDSS |
0.10Vto999V(2kV)(1) |
1nAto50mA |
1mV |
VGSTH |
0.10Vto 49.9V |
ID:100uAto3A |
1mV |
VDSON、VF(VSD) |
VD、VF： |
IF、ID： |
1mV |
IDON、VGSON |
0.10Vto5.00V |
10uAto 49.9A(1.2kA)(4) |
|
RDSON(混合参数) |
to9.99V |
to25A(200A)(4) |
|
gFS(混合参数) |
VGS：0.10Vto9.99V |
IG：1nAto10A |
3.7双向可控硅开关器件（双向晶闸管）TRIAC
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
|||
IDRMIRRM IGKO |
0.10Vto999V(2kV)(1) 0.10Vto20V(80V)(3) |
1nA(10pA)(2)to50mA 1nA(10pA)(2)to3A |
1nA(1pA)（2） |
|||
VD 、VD- BVGKO |
0.01V to999V(2kV)(1) 0.10V to20V(80V)(3) |
1nA 1nA |
to50mA to3A |
1mV |
||
VTVT- |
0.10V |
to to |
5.00V 9.99V |
10uA to49.9A(1.2kA)(4) to25A(200A)(4) IGT：1nAto10A |
1mV |
|
IGT1/2/3/4 VGT1/2/3/4 |
VGT:0.10V to20V(80V)(3) VT:100mVto 49.9V |
IGT：1nAto3A RL:12Ω.30Ω.100Ω.EXT |
1mV 1nA |
|||
IL 、IL- (间接参数) |
VD:5Vto49.9V |
IL:100μAto3A IGT:1nAto3A RL:12Ω,30Ω,100Ω,EXT |
N/A |
|||
IH 、IH- |
VD:5Vto49.9V |
IH:10uAto1.5A IGT:1nAto3A RL:12Ω30Ω100Ω EXT(IAK初值由RL设置) |
1uA |
|||
3.8单向可控硅整流器（普通晶闸管）SCR
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
||||||
IDRM、IRRM、 |
0.10Vto999V(2kV)(1) |
1nA(10pA)（2）to50mA |
1nA(1pA)（2） |
||||||
IGKO |
0.10Vto 20V(80V)(3) |
1nA(10pA)to3A |
|||||||
VDRM、VRRM BVGKO |
0.10Vto999V(2kV)(1) 0.10Vto 20V(80V)(3) |
1nA 1nA |
to to |
50mA 3A |
1mV 1mV |
||||
VTM |
0.10V |
to to |
5.00V 9.99V |
10μA to49.9A(1.2kA)(4)to25A(200A)(4) |
1mV |
||||
IGTVGT |
VD:5Vto 49.9V VGT:0.10Vto20V(80V)(3) VT:100mVto49.9V |
IGT:1nAto3A RL:12Ω、30Ω、100Ω、EXT |
1mV 1nA |
||||||
IL (间接参数) |
VD：5Vto49.9V |
IL:100μAto3A IGT:1nAto3A RL:12Ω,30Ω,100Ω,EXT |
N/A |
||||||
IH |
VD：5Vto49.9V |
IH:10uAto1.5A IGT:1nAto3A RL:12Ω30Ω100Ω EXT(IAK初值由RL设置) |
1uA |
||||||
3.9光电耦合器件OPTO-COUPLER
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
ICOFF、ICBO IR |
0.10Vto 999V(2kV)(1)
|
1nA(10pA)(2)to50mA 1nA(10pA)(2)to3A |
1nA(1pA)(2) |
BVCEOBVECO BVCBO BVEBO |
0.10Vto 450V(900V)(1) to700V(1.4kV)(1) to 800V(1.6kV)(1) 0.10Vto 999V(2kV)(1) 0.10Vto20V(80V)(3) |
100μAto200mA to100mA to50mA 1nA(10pA)(2) to50mA 1nAto3A |
1mV |
CTR (0.01to99.999) hFE(1to99.999)VCESATVSATVF(Opto-Diode) |
VCE: 0.10Vto5.00V(5) to9.99V to49.9V VF: 0.10Vto9.99V |
IC:10uAto49.9A(1.2kA) (4) to25A(200A)(4) to3A IF,IB:1nAto10A |
0.0001CTR 0.01hFE |
3.10光电开关管OPTO-SWITCH
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
|
ICOFF |
0.10Vto 999V(2kV)(1) |
1nA(10pA)(2)to50mA |
1nA(1pA)(2) |
|
VD |
0.10Vto 999V(2kV)(1) |
1nAto50mA |
1mV |
|
Notch=IGT1、IGT4 |
VD: 0.10Vto5.00V |
IGT：1nAto3A |
1mV |
|
VON=VSAT |
to9.99V |
|||
(Coupled) |
to49.9V |
|||
ION =IGT1、IGT4 |
IGT：1nAto3A |
1mV |
||
IOFF =IGT1、IGT4 |
||||
3.11光电逻辑器件OPTO-LOGIC
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
|
IR |
0.10Vto 20V(80V)(3) |
1nA(10pA)(2) to50mA |
1nA(1pA)(2) |
|
VF |
0.10Vto20V |
IF:1nAto10A |
1mV |
|
VOHVOL |
0.10Vto9.99V |
1nAto49.9A |
1mV |
|
IFON ITH B ITH I |
IFOFFITH-B ITH-I |
0.10Vto9.90V |
1nAto10A |
1mV |
3.12金属氧化物压变电阻MOV
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
|
ID ID- |
2.50mVto49.9V(100V) (1) |
1nA(10pA)(2)to3A |
1nA(1pA)(2) |
|
VN VC |
VN- VC- |
0.10Vto450V(900V)(1) to700V(1.4kV)(1) to800V(1.6kV)(1) to999V(2kV)(1) |
1nA(10pA)(2) to200mA |
1mV |
3.13固态过压保护器SSOVP
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
ID ID- |
2.50mVto1kV(2kV)（1） |
1nA(10pA)(2)to3A |
1nA(1pA)(2) |
VCLAMP ,VCLAMP- |
2.50mVto1kV(2kV)（1） |
10mAto900mA |
1mV |
VT 、VT- |
5mVto20V |
IT：1nAto 49.9A IB：10mAto 900mA |
1mV |
IH 、IH- |
VHVGS:100mVto 20V |
IH:10mAto1A |
1uA |
IBO IBO- |
VT: 2.50mVto400V(1) |
IB:10mAto900mA |
1nA(1pA)(2) |
VBO VBO- |
2.50mVto400V |
10mAto900mA |
1mV |
VZ VZ- VT VT- |
2.50mVto1kV 5.00mVto20V |
1nAto3A IT:1nAto 49.9A IB:10mAto900mA |
1mV |
3.14继电器RELAY
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
|||
RCOIL1Ωto10kΩ |
2.50Vto999V |
10mAto3A |
0.001Ω |
|||
VOPER |
100mVto49.9V |
0.1V |
||||
VREL |
100mVto49.9V |
0.1V |
||||
RCONT |
2.5mVto49.9V |
10mAto9.90A |
0.001Ω |
|||
((10m Ω |
to10k |
|||||
Ω) |
||||||
OPTIME/ |
RELTIME |
2.5mVto49.9V |
1us |
|||
((100us |
to65ms) |
|||||
3.15绝缘栅双极大功率晶体管IGBT
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
|||
ICESIGESFIGESR |
0.10Vto999V(2kV)(1) 0.10Vto 20V(80V)(3) |
1nA(10pA)(2)to50mA 1nA(10pA)(2)to 3A |
1nA(1pA)(2) |
|||
BVCES |
0.1V |
to to to |
450V(900V)(1) 700V(1.4V)(1) 800V(1.6V)(1) |
100μAto200mA to100mA to50mA |
1mV |
|
VGETH |
0.10Vto 20V(50V)(3) |
1nAto3A |
1mV |
|||
VCESATICON VGEONVF gFS(混合参数) |
VCE:0.10Vto5.00V to9.99V VGE: 0.10Vto9.99V |
IC:10mA |
to49.9A(1.2kA)(4) to25A(200A)(4) |
1mV |
||
IF,IGE:1nAto10A |
||||||
3.16硅触发可控硅STS
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
IH IH- |
VD: 2.5mV to1000V(2kV)(1) |
IH:1nAto49.9A RL:12Ω30Ω100ΩEXT (IAK初值由RL设置) |
1uA |
VSWVSW-、 VPKVPK-、 VGSWVGSW- |
0.1Vto 20(80V)(3) |
1nAto10A |
1mV |
3.17压变电阻VARISTOR
测试参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
ID ID- |
VD: 2.5mVto1kV(2kV)(1) |
1nAto3A |
1uA |
VCVC-、 |
100mVto10V |
1nAto49.9A |
1mV |
3.18达林顿阵列DARLINTON
电参数名称 |
电压范围 |
电流范围 |
分辨率 |
||
ICBO ICEO/R/S/XIEBO |
0.10Vto 999V(2kV)(1) 0.10Vto 20V(80V)(3) |
100nA(100pA)(2)to50mA 100nA(100pA)(2)to 3A |
1nA(50pA)(2) |
||
BVCEO/R/E/S (10mA 以上使用300us脉冲) BVCBO BVEBO |
0.10V to450V(900V)(1) to700V(1.4kV)(1) to800V(1.6kV)(1) 0.10Vto 999V(2kV)(1) 0.10Vto 20V(80V)(3) |
100nA 100nA 100nA |
to to to to to |
200mA 100mA 50mA 50mA 3A |
5mV |
hFE (1to99,999) |
VCE:0.10Vto5.00V(5) to9.99V to49.9V |
IC:10uA to49.9A(250A)(4) to25A(125A)(4) to3A IB:100nAto10A |
0.01hFE |
||
VCESAT,VBESAT VBE(VBEON) |
VCE:0.10Vto5.00V to9.99V VBE:0.10Vto9.99V |
IE: 10uAto49.9A(250A)（4） to25A(125A) （4） IB:100nAto10A |
5mV |
||
注：(1) 需要2KV阳极/集电极选件。
(2) 需要小电流测试台选件，提供需要的测试延迟时间为：1ms—99s电流分辨率可达到10PA。
(3) 需要80V低源栅/基极选件。
(4) 需要1.25KA大电流测试台选件。
(5) 充许有电缆压降。
部分测试期间需要适配器
参数注释
漏电参数：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、LGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
击穿参数：BVCEO BVCES(300μS Pulseabove10mA)BVDSS、VD、BVCBO、、VDRM、VRRM、VBB
BVR、VD 、VD-、BVDGO、BVZBVEBO、BVGSS、BVGKO
增益参数：hFE、CTR、gFS、VGSTH、VGETH
导通参数: VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VT、VT 、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDSS、IDON、Notch = IGT1，IGT4、ICON、VGEON、
VO(Regulator)、IIN(Regulator)
关断参数: VGSOFF
触发参数:IGT、VGT
保持参数:IH、IH 、IH-
锁定参数：IL、IL 、IL-
混合参数: rDSON、gFS、InputRegulation、OutputRegulation
间接参数:IL
注：(1) 需要2KV阳极/集电极选件。
(2) 需要小电流测试台选件，可以提供需要的测试延迟时间为：1ms—99s。(3) 需要80V低源栅/基极选件。
(4) 需要1.2KA大电流测试台选件。(5) 充许有电缆压降。
4、最大功率曲线
4.1 击穿参数和漏电参数测试曲线
4.2 通态测试和增益测试曲线
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西安中昊芯测科技有限公司
联系人：
黄辉
服务热线：
액액댄텹액댄픰텹댄
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中昊芯测 分立器件测试仪/晶体管图示 SC2010 能测SiC GaN MOS IGBT 晶闸管 光耦等26分类的元器件￥185000元
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