深圳微纳电子科技有限公司
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实验室科研代加工键合技术/晶圆键合/阳极/硅硅/共晶/胶类/引线键光刻热氧化离子注入镀膜沉积刻蚀晶圆键合CMP快速退火微

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基本参数

晶圆 键合 阳极 离子
硅硅 沉积 共晶 CMP
胶类 热氧化

键合技术---Bonding Technology是指基底表面进行过清洁或活化处理,原子级平整的同质或异质半导体材料,在一定的温度、压力和电压下,由于范德华力的作用,在两片基底界面处发生化学作用而键合在一起的技术。键合工艺类型:阳极键合、硅硅键合、共晶键合、胶类键合,引线键合等。

我们提供键合类型:

  1. 阳极键合(pyrex 玻璃和硅片);

  2. 共晶键合(PbSn,AuSn,CuSn,AuSi等等)焊料由客户提供;

  3. 胶键合(AZ4620,SU8,键合专用胶);

  4. 引线键合;

  5. 其他。

光刻技术--Lithography Technology光刻一种精密的微细加工技术。常规光刻技术是采用紫外光作为图像信息载体,以光致抗光刻技术蚀剂为中间(图像记录)媒介实现图形的变换、转移和处理,最终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上的一种工艺。

 

公司提供电子束光刻、步进式光刻、接触式光刻等光刻技术,线宽最小可达10nm,多种光刻结合的先进光刻理念,实现您不同尺寸的光刻需求。

电子束光刻:最小线宽50nm(成熟),适合在导电衬底、图形面积小的图形加工。 

投影式光刻:stepper i7/i10/i12,最小线宽350nm,适合在标准圆片上有量加工。 

接触、接近式光刻:MA6/BA6光刻机,最小线宽1um,适合正反套刻,衬底包容性高。


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