深圳市华科智源科技有限公司
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  • 主营产品: 分立器件测试仪 栅极电阻/电容测试仪
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SiC器件测试仪/设备/系统 华科智源

价格 10.00/台
起订量 ≥1
所在地 广东 深圳 可售量 20台

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公司官网: http://www.igbts.com.cn/

所在地区:广东省 深圳市

主营产品: 分立器件测试仪, 栅极电阻/电容测试仪,

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商品详情 联系方式

基本参数

品牌 华科智源 型号 HUSTEC-1600A-MT
加工定制 类型 多参数测试仪
产地 广东 测量范围 二极管 、IGBT,MOS管,SIC器件静态参数
适用范围 器件设计,封装测试,轨道交通,电动汽车 ,风力发电,变频器,焊机 仪表重量 30kg
外形尺寸 500(宽)x 450(深)x 250(高)mm 海拔高度 海拔不超过 1000m
储存环境 -20℃~50℃ 工作环境 15℃~40℃
相对湿度 20%RH ~ 85%RH 大气压力 86Kpa~ 106Kpa
防护 无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等空气污染的损害 用电要求 AC220V,±10%
电网频率 50Hz±1Hz



华科智源hustec-1600a-mt静态参数测试仪可用于多种封装形式的 igbt测试,还可以测量大功率二极管 、igbt模块,大功率 igbt、大功率双极型晶体管,mos管等器件的 v-i 特性测试,测试1200a可扩展至2000a,5000v以下的各种功率器件,广泛应用于轨道交通,电动汽车 ,风力发电,变频器,焊机行业的igbt来料选型和失效分析,设备还可以用于变频器,风电,轨道交通,电焊机等行业的在线检修,无需从电路板上取下来进行单独测试,可实现在线igbt检测,测试方便,测试过程简单,既可以在测试主机里设置参数直接测试,又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试,通过电脑操作完成 igbt 的静态参数测试;

测试参数:

ices 集电极-发射极漏电流

igesf 正向栅极漏电流

igesr 反向栅极漏电流

bvces 集电极-发射极击穿电压

vgeth 栅极-发射极阈值电压

vcesat 集电极-发射极饱和电压

icon 通态电极电流

vgeon 通态栅极电压

vf 二极管正向导通压降

整个测试过程自动完成,电脑软件携带数据库管理查询功能,可生成测试曲线,方便操作使用


1) 物理规格

设备尺寸: 500 x 450 x 250 高mm;

30kg

2) 环境要求

海拔高度:海拔不超过 1000m

储存环境: -20 ℃~ 50 ℃;

工作环境: 15 ℃~ 40 ℃。

相对湿度: 20%rh ~ 85%rh

压力: 86kpa 106kpa

防护:无较大灰尘,腐蚀性气体,导电粉尘等空气污染的损害;

3) 水电气 用电要求: ac220v ,± 10%

电网频率: 50hz±1hz


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