深圳市华科智源科技有限公司

主营产品：分立器件测试仪, 栅极电阻/电容测试仪,

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可控硅测试仪

价格	￥10/台
起订量	≥1
所在地	广东深圳	可售量 20台

联系人：陈经理

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基本参数

品牌	华科智源	型号	HUSTEC-1600A-MT
加工定制	否	类型	多参数测试仪
产地	广东	测量范围	二极管、IGBT，MOS管，SIC器件静态参数
适用范围	器件设计，封装测试，轨道交通，电动汽车，风力发电，变频器，焊机	仪表重量	30kg
外形尺寸	500（宽）x 450（深）x 250（高）mm	海拔高度	海拔不超过 1000m
储存环境	-20℃～50℃	工作环境	15℃～40℃
相对湿度	20%RH ~ 85%RH	大气压力	86Kpa～ 106Kpa
防护	无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等空气污染的损害	用电要求	AC220V，±10%
电网频率	50Hz±1Hz

HUSTEC华科智源

HUSTEC-1600A-MT

可控硅测试仪

一：可控硅测试仪主要特点

华科智源HUSTEC-1600A-MT静态测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试，还可以测量大功率二极管、IGBT模块，大功率 IGBT、大功率双极型晶体管MOS管等器件的 V-I 特性测试，测试600A（可扩展至2000A），5000V以下的各种功率器件，广泛应用于轨道交通，电动汽车，风力发电，变频器，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析，设备还可以用于变频器，风电，轨道交通，电焊机等行业的在线检修，无需从电路板上取下来进行单独测试，可实现在线IGBT检测，测试方便，测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试，通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试；

可控硅测试仪测试参数：

ICES 集电极-发射极漏电流

IGESF 正向栅极漏电流

IGESR 反向栅极漏电流

BVCES 集电极-发射极击穿电压

VGETH 栅极-发射极阈值电压

VCESAT 集电极-发射极饱和电压

ICON 通态电极电流

VGEON 通态栅极电压

VF 二极管正向导通压降

整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。

二：华科智源可控硅测试仪应用范围

A：IGBT单管及模块，

B：大功率场效应管（Mosfet）

C：大功率二极管

D：标准低阻值电阻

E：轨道交通，风力发电，新能源汽车，变频器，焊机等行业筛选以及在线故障检测

三、华科智源可控硅测试仪特征：

A：测量多种IGBT、MOS管

B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；

C：脉冲宽度 50uS~300uS

D：Vce测量精度2mV

E：Vce测量范围10V

F：电脑图形显示界面

G：智能保护被测量器件

H：上位机携带数据库功能

I：MOS IGBT内部二极管压降

J : 一次测试IGBT全部静态参数

K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）

L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；

序号	测试项目	描述	测量范围	分辨率	精度
1	VF	二极管正向导通压降	0~20V	1mV	±1%,±1mV
2	IF	二极管正向导通电流	0~1200A	≤200A时,0.1A	≤200A时,±1%±0.1A
3	IF	二极管正向导通电流	0~1200A	＞200A时,1A	＞200A时,±1%
4	Vces	集电极-发射极电压	0~5000V	1V	±1%,±1V
5	Ic	通态集电极电流	0~1200A	≤200A时,0.1A	≤200A时,±1%±0.1A
6	Ic	通态集电极电流	0~1200A	＞200A时,1A	＞200A时,±1%
7	Ices	集电极-发射极漏电流	0~50mA	1nA	±1%,±10μA
8	Vgeth	栅极-发射极阈值电压	0~20V	1mV	±1%,±1mV
9	Vcesat	集电极-发射极饱和电压	0~20V	1mV	±1%,±1mV
10	Igesf	正向栅极漏电流	0~10uA	1nA	±2%,±1nA
11	Igesr	反向栅极漏电流	0~10uA	1nA	±2%,±1nA
12	Vges	栅极发射极电压	0~40V	1mV	±1%,±1mV