2英寸氮化镓厚膜晶片（Si掺杂）
| 价格 | ￥1680.00/一片装 | |
| 起订量 | ≥1 | |
| 所在地 | 江苏 苏州 | 可售量 10000一片装 |
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| 货号 | CAS号 | 编号 | 包装 | 参数 | 库存 | 补货期 | 价格 |
| BK2020081713-01 | BK2020081713 | 单抛 | 4.5±0.5μm | 100 | 840 | ||
| BK2020081713-02 | BK2020081713 | 单抛 | 20±2μm | 100 | 1620 | ||
| BK2020081713-03 | BK2020081713 | 双抛 | 4.5±0.5μm | 100 | 900 | ||
| BK2020081713-04 | BK2020081713 | 双抛 | 20±2μm | 100 | 1680 |
性能参数：
-
产品型号 GaN-T-C-N-C50 尺寸 Ф50.8 ± 0.1 mm 厚度 4.5±0.5 μm, 20±2 μm 晶体取向 C-plane(0001) ± 0.5° 导电类型 N-type(Si-doped) 电阻率（300 K） 0.05Ω·cm 载流子浓度 1x1018cm-3 迁移率 ~ 200cm2/V?s 位错密度 Less than 5x108cm-2(estimated by FWHMs of XRD) 衬底结构 GaN on sapphire (standard :SSP option:DSP) 有效面积 90% 包装 Packaged in a class 100 clean room environment, in cassette of 25pcs
or single container , under a nitrogen atmosphere.
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苏州北科纳米科技有限公司
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