二硒化钼晶体管
价格 | ¥2250.00/一片装 | |
起订量 | ≥1 | |
所在地 | 江苏 苏州 | 可售量 10000一片装 |
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背栅器件结构:金电极/CVD 单层MoSe2(或者机械剥离单层MoSe2)/300nm SiO2/Si 1) 器件种类1, CVD三角MoSe2单层单晶, 5um沟道,300nm氧化硅硅片基底,背栅结构 |
苏州北科纳米科技有限公司
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杨女士
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